طور فريق بحثي صيني جهاز ذاكرة فلاش يمكنه تخزين البيانات بسرعة بت واحد لكل 400 بيكو ثانية فقط، مسجلاً رقمًا قياسيًا جديدًا لأسرع جهاز تخزين لأشباه الموصلات تم الإعلان عنه حتى الآن.

وأوضحت وكالة الأنباء الصينية شينخوا، اليوم الجمعة، وفقًا للدراسة التي نُشرت نتائجها في مجلة "نيتشر" العلمية - هذه الذاكرة غير المتطايرة، التي يطلق عليها اسم "بوكس"، تتفوق على أسرع تقنيات الذاكرة المتطايرة، والتي تستغرق حوالي 1 إلى 10 نانو ثانية لتخزين بت واحد من البيانات.

والبيكو ثانية هو واحد من الألف من نانوثانية أو واحد من تريليون من الثانية.

وفي السابق كانت تعاني الذاكرات المتطايرة مثل "أس رام" و"دي رام" من فقدان البيانات عند انقطاع الطاقة، وتعد غير مناسبة للأنظمة منخفضة الطاقة، كما تعجز تقنيات الذاكرة غير المتطايرة التقليدية مثل ذاكرة الفلاش الموفرة للطاقة، عن تلبية متطلبات السرعة اللازمة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي.

ولحل هذه التحديات طور الباحثون في جامعة فودان ذاكرة فلاش ثنائية الأبعاد لقناة ديراك الجرافين باستخدام آلية مبتكرة، وهو ما أسهم في كسر القيود السابقة المرتبطة بسرعة تخزين المعلومات والوصول إليها.

وقال تشو بينج، الباحث الرئيسي في الدراسة من جامعة فودان "اعتمدنا على خوارزميات الذكاء الاصطناعي لتحسين ظروف اختبار العملية، مما ساعد في تطوير هذا الابتكار بشكل كبير وتمهيد الطريق لتطبيقاته المستقبلية".